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正在閱讀:Intel未來的雙核心45nm Penryn性能強勁Intel未來的雙核心45nm Penryn性能強勁

2007-01-29 12:10 出處: 作者:清風無痕 責任編輯:lvliangyun

 

 

 

  最新資料顯示,Intel未來的雙核心45nm Penryn將集成4億1000萬個晶體管,而現(xiàn)在的 65nm 雙核心 Conroe集成的數(shù)量僅為291M。此外在核心面積方面,盡管Penryn核心面積的相關數(shù)據(jù)還沒有正式公布,但從已知的情況來看,其核心面積為110mm2,比現(xiàn)在的Conroe 核心的 143mm2也小了不少。

  根據(jù)上面的情況,英特爾未來的集成兩顆Penryn核心的四核心 Yorkfield 處理器的集成晶體管數(shù)量將達到 8億2000萬個,而其封裝總體面積也僅于現(xiàn)在的四核心 Kentsfield 是一樣的。 Yorkfield并非英特爾未來將要推出的原生四核心處理器。目前英特爾計劃使用三個廠生產(chǎn)45納米處理器,這三家工廠分別是 D1D Oregon 、 Fab 32和 Fab 28 Israel。 45nm Penryn移動版的功耗為35W ,臺式機版為65W ,服務器版則為80W,均小于目前相應的主流處理器。

雙核心45nm+Penryn
雙核心45nm Penryn內(nèi)部

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