據(jù)中國臺灣地區(qū)內(nèi)存廠商透露的消息稱，近日均收到三星和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)的通告，稱四月份NAND閃存價(jià)格將會進(jìn)一步上調(diào)。據(jù)稱，除了受NAND閃存近日需求旺盛的影響外，東芝近日為蘋果供貨以及三星正在嘗試使用50nm制造工藝也是重要的原因。

　　近期來，三星和東芝的股價(jià)均保持低位。三星從1月初開始試生產(chǎn)50nm的16Gbit MLC NAND閃存，并表示將盡快將制造工藝由原70nm提升到50nm。業(yè)界人士指出，由于三星現(xiàn)在開始試使用50nm技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，因此短期造成供不應(yīng)求的現(xiàn)象也是正常的，這種情況隨著50nm工藝的成熟也會逐漸好轉(zhuǎn)。

　　三星曾表示，將在2007年第一季度開始生產(chǎn)MLC內(nèi)存，同時(shí)在第二季度開始生產(chǎn)50nm或60nm工藝的8Gbit和16Gbit高密度內(nèi)存芯片。而在MLC內(nèi)存上一直占據(jù)優(yōu)勢的東芝則表示已經(jīng)為蘋果公司生產(chǎn)NAND閃存超過一個(gè)季度。臺灣業(yè)內(nèi)人士指出近日內(nèi)存價(jià)格的上升皆是由上述兩間公司而起。

　　當(dāng)前NAND閃存的缺貨水平保持在20－30％左右，同時(shí)在短期內(nèi)不會有明顯改善。按照價(jià)格走勢，三星從去年12月起就開始增加DRAM的產(chǎn)能。因此，考慮產(chǎn)能調(diào)整已經(jīng)進(jìn)行了2－3個(gè)月，NAND閃存的供給在4月份會出現(xiàn)緊張。

　　由于預(yù)測到會出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，同時(shí)三星和海力士的內(nèi)存合同價(jià)格要比現(xiàn)貨市場價(jià)格低很多，因此這兩家廠商均計(jì)劃在4月份提高NAND閃存售價(jià)。在三月下旬，三星和海力士8Gbit的NAND閃存合同價(jià)格分別為6美金和5.5美金，該價(jià)格比現(xiàn)貨價(jià)格低20－30％。而8Gbit的SLC和MLC NAND閃存價(jià)格則分別為8.27美金和8.07美金。

　　受到NAND閃存供應(yīng)緊張的影響，A-Data Technology公司向三星預(yù)支了大量定購金，以保證穩(wěn)定的供給。同時(shí)，據(jù)稱，A-Data支付給三星的這筆費(fèi)用將從新發(fā)行的股票中支出。A-Data公司在3月13日表示將發(fā)行9.9億新股和10億新臺幣的債券。